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IMBF170R1K0M1 CoolSiC? 1700 V, 1000 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增大爬電距離，針對反激式拓撲結構進行了優(yōu)化，適用于眾多電力應用場合下接入直流母線電壓600 V至1000 V的輔助電源。

規(guī)格

FET 類型 N 通道  

技術 SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss） 1700 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 5.2A（Tc）  

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 12V，15V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 1000毫歐 @ 1A，15V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 5.7V @ 1.1mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 5 nC @ 12 V  

Vgs（最大值） +20V，-10V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 275 pF @ 1000 V  

FET 功能 -  

功率耗散（最大值） 68W（Tc）  

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型 表面貼裝型  

供應商器件封裝 PG-TO263-7-13  

封裝/外殼 TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA 

優(yōu)勢

1700 V SiC MOSFET能實現簡單高效的單端反激式拓撲結構，適用于輔助電源

SMD（表面貼裝）封裝便于直接集成于PCB，能實現自然對流冷卻，無需額外的散熱器

由于產品封裝的爬電距離和電氣間隙增大，隔離工作量減少

降低系統復雜性

高功率密度

應用領域

儲能系統

電動汽車快速充電

電源

工業(yè)電機驅動和控制

太陽能系統解決方案

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