LMG3426R030RQZR GaN FET 集成了驅動器和保護功能，面向開關模式功率轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提高到新的水平。
特點
通過 JEDEC JEP180 硬開關拓撲認證
600V 硅基氮化鎵場效應晶體管，帶集成柵極驅動器
集成高精度柵極偏置電壓
200V/ns FET 截止
2.2MHz 開關頻率
20V/ns 至 150V/ns 壓擺率，用于優(yōu)化開關性能和降低 EMI
工作電壓為 7.5V 至 18V
強大的保護功能
逐周期過流和鎖存短路保護，響應時間 < 100ns
硬開關時可承受 720V 浪涌
內部過溫自我保護和 UVLO 監(jiān)控
先進的電源管理
數字溫度 PWM 輸出
LMG3426R030 具有零電壓檢測 (ZVD) 功能，便于軟開關轉換器使用
應用
開關模式電源轉換器
商用網絡和服務器 PSU
商用電信整流器
太陽能逆變器和工業(yè)電機驅動器
不間斷電源
型號
品牌
封裝
數量
描述
Nexperia
CCPAK1212i
3000
氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 650 V 58.5A（Tc） 250W（Tc） CCPAK1212i
Nexperia
WLCSP-22
3000
氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 40 V 20A（Ta） 13W（Ta） 22-WLCSP（2.1x2.1）
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