商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-HDSOP-16
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
IMLT65R020M2H CoolSiC? 650V G2 MOSFET可通過降低能耗來充分利用碳化硅的性能,從而在功率轉換過程中實現(xiàn)更高效率。
Infineon CoolSiC 650V G2 MOSFET適用于各種功率半導體應用,如光伏、能量存儲、電動汽車直流充電、電機驅動器和工業(yè)電源。配備CoolSiC G2的電動汽車用直流快速充電站與前幾代產品相比,功耗降低了10%,同時實現(xiàn)更高的充電容量,且不影響外形尺寸。
特性
靈活的驅動電壓,兼容雙極驅動方案
基準柵極閾值電壓VGS(th) =4.5V
即使在0V關斷柵極電壓下,也能防止寄生導通
超低開關損耗
在硬換向事件下,體二極管仍能可靠工作
.XT互連技術,實現(xiàn)同類最佳的散熱性能
應用
SMPS
太陽能光伏逆變器
能量存儲和電池形成
UPS
電動汽車充電基礎設施
電機驅動器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/116 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 19 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/78 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 30 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/61 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 40 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/44 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 60 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/34 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 80 m?
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S29GL256S10DHB023是采用 65 納米工藝技術制造的 MirrorBit Eclipse 閃存產品。電話咨詢:86-755-83294757
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