英飛凌的IMDQ75R016M1H CoolSiC? MOSFET 750 V 是一款高度堅固的 SiC MOSFET，具有最佳的系統(tǒng)性能和可靠性。

CoolSiC? MOSFET 750 V 充分利用了英飛凌 20 多年的 SiC 經(jīng)驗。它在性能、可靠性和堅固性方面都具有優(yōu)勢，并具有柵極驅(qū)動靈活性，從而簡化了系統(tǒng)設計，提高了成本效益，實現(xiàn)了最高的效率和功率密度。創(chuàng)新的頂部-側(cè)面冷卻封裝進一步增強了 CoolSiC? 750 V 的優(yōu)勢，提供了更高的密度、優(yōu)化的功率回路設計以及更低的系統(tǒng)和裝配成本。

IMDQ75R016M1H特征描述

高度堅固的 750 V 技術

同類最佳的 RDS(on) x Qfr

出色的 Ron x Qoss 和 Ron x QG

同時具有低 Crss/Ciss 和高 Vgsth 性能

100% 經(jīng)過雪崩測試 

 .XT 互連技術，具有同類最佳的散熱性能

尖端的頂部冷卻封裝 

IMDQ75R016M1H產(chǎn)品規(guī)格

系列： CoolSiC?  

包裝： 卷帶（TR）剪切帶（CT）

零件狀態(tài)： 在售  

FET 類型： N 通道  

技術： SiC（碳化硅結(jié)晶體管）  

漏源電壓（Vdss）： 750 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 98A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V，20V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 15毫歐 @ 41.5A，20A  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 5.6V @ 14.9mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 80 nC @ 18 V  

Vgs（最大值）： +23V，-5V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 2869 pF @ 500 V  

功率耗散（最大值）： 384W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應商器件封裝： PG-HDSOP-22-1  

封裝/外殼： 22-PowerBSOP 模塊 

IMDQ75R016M1H潛在應用

固態(tài)繼電器 (SSR)

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。