MSC025SMA120  (SiC) 肖特基勢壘二極管 (SBD) 具有出色的動態(tài)性能和熱性能，優(yōu)于傳統(tǒng)的硅功率二極管。碳化硅勢壘二極管由硅 (Si) 和碳 (C) 組成。與純硅器件相比，碳化硅器件具有更高的介電擊穿場強、更高的帶隙和更高的熱導率。碳化硅肖特基二極管具有零正向和反向恢復電荷，可減少二極管的開關損耗。這些器件還設有溫度獨立開關，可確保穩(wěn)定的高溫性能。

產品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：103A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：31 毫歐 @ 40A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：232 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+25V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3020 pF @ 1000 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：500W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-247-3

封裝/外殼：TO-247-3

基本產品編號：MSC025

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