GS-065-011-2-L-TR是一款增強型硅基 GaN 功率晶體管。 GaN 的特性允許高電流、高電壓擊穿和高開關頻率。 GS-065-011-2-L-TR是一款采用 8x8 mm PDFN 封裝的底部冷卻晶體管，可實現現代 USB-C 適配器和充電器或其他中等功率應用所需的理想功耗。
特性
增強型 HEMT – 常閉
超快開關
無反向恢復電荷
具有反向導通能力
低柵極電荷、低輸出電荷
卓越的換向強度
符合JEDEC標準（JESD47、JESD22）
底部冷卻
零反向恢復損耗
源極檢測焊盤可實現最佳柵極驅動
快速、可控的下降和上升時間
符合 RoHS 3(6+4) 標準
優(yōu)勢
提高系統效率
提高功率密度
減輕系統重量
實現更高的工作頻率
節(jié)省系統成本
降低電磁干擾
型號
品牌
封裝
數量
描述
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IPW60R120P7 是 600V CoolMOS? P7 超結 (SJ) MOSFET。電話咨詢：86-755-83294757
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