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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:AIMDQ75R016M1H

商品名稱:碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管

品牌:INFINEON

年份:24+

封裝:PG-HDSOP-22

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
在線詢價

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
AIMDQ75R016M1H
封裝
PG-HDSOP-22
描述
750V,碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-22

產(chǎn)品描述

AIMDQ75R016M1H:750V,碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-22


型號:AIMDQ75R016M1H

封裝:PG-HDSOP-22

類型:碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管

概述:CoolSiC? MOSFET 750V是一款高度堅固的 SiC MOSFET 晶體管,具有最佳的系統(tǒng)性能和可靠性。


AIMDQ75R016M1H - 產(chǎn)品規(guī)格:

系列:CoolSiC?

FET 類型:N 通道

技術(shù):SiCFET(碳化硅)

漏源電壓(Vdss):750 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):98A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):0V,18V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):22 毫歐 @ 41.5A,18V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5.6V @ 14.9mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):80 nC @ 18 V

Vgs(最大值):+23V,-5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2869 pF @ 500 V

FET 功能-

功率耗散(最大值):384W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝:PG-HDSOP-22

封裝/外殼:22-PowerBSOP 模塊


應(yīng)用領(lǐng)域:

電動汽車車載充電器

用于電動汽車的高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器


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封裝

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描述

IMZC120R034M2H

INFINEON

TO-247-4

1000

1200V、34mΩ、CoolSiC? MOSFET 分立式晶體管,TO-247-4

IMZC120R053M2H

INFINEON

TO-247-4

2000

1200V、53mΩ、CoolSiC? MOSFET 分立式晶體管,TO-247-4

FF8MR12W1M1HC58

INFINEON

模塊

3000

1200V,EasyDUAL? 1B CoolSiC? MOSFET 半橋模塊

FF300R12W2T7EB11

INFINEON

模塊

3000

1200V,300mΩ,EasyDUAL? 2B CoolSiC? MOSFET 半橋模塊

FF200R12W2T7EB11

INFINEON

模塊

3000

1200V,200mΩ,EasyDUAL? 2B CoolSiC? MOSFET 半橋模塊

FF150R12W2T7EB11

INFINEON

模塊

3000

1200V,150mΩ,EasyDUAL? 2B CoolSiC? MOSFET 半橋模塊

FF6MR20W2M1HB70

INFINEON

模塊

3000

2000V,6mΩ,EasyDUAL? 2B CoolSiC? MOSFET半橋模塊

IMZC120R040M2H

INFINEON

TO-247-4

3000

1200V、40mΩ、CoolSiC? MOSFET 分立式晶體管,TO-247-4

IMZC120R026M2H

INFINEON

TO-247-4

3000

1200V、26mΩ、CoolSiC? MOSFET 分立式晶體管,TO-247-4

IMZC120R022M2H

INFINEON

TO-247-4

3000

1200V、22mΩ、CoolSiC? MOSFET 分立式晶體管,TO-247-4

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INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…

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