商品名稱:MOSFET 晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:TO-220FP-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
SPA11N80C3 是采用 TO-220FP-3 封裝的 CoolMOS N 溝道功率 MOSFET 晶體管。
SPA11N80C3 的規(guī)格
晶體管極性:N 溝道
通道數(shù):1 通道
Vds - 漏極-源極擊穿電壓:800 V
Id - 漏極連續(xù)電流:11 A
Rds On - 漏極-源極電阻:450 mOhms
Vgs - 柵極源極電壓:- 20 V,+ 20 V
Vgs th - 柵極-源極閾值電壓:2.1 V
Qg - 柵極電荷:64 nC
最低工作溫度:- 55 C
最高工作溫度:+ 150 C
Pd - 功率耗散:34 W
通道模式:增強
商品名稱:CoolMOS
SPA11N80C3 的特點
全新革命性高壓技術
極高的額定 dv/dt
高峰值電流能力
目標應用符合 JEDEC1) 標準
無鉛電鍍;符合 RoHS 規(guī)范
超低柵極電荷
超低有效電容
全隔離封裝(2500 VAC;1 分鐘)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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S25FL256SAGBHIC00 是一款高性能的 256Mbit NOR 閃存存儲器,由 Infineon(英飛凌)生產。該存儲器采用 3.0V CMOS 技術,支持 SPI、雙線 SPI 和四線 SPI 接口,適用于多種嵌入式應用。核心特性(S25FL256SAGBHIC00)高性能存儲架構存儲容量:256Mb(32M 8),支持 SPI、…S70GL02GS12FHIV10
S70GL02GS12FHIV10 是一款 2Gb(256M 8 / 128M 16)并行NOR閃存,采用 64-FBGA封裝(1113mm),適用于高可靠性嵌入式存儲應用。S29GL01GT11FHIV10
S29GL01GT11FHIV10 是一款高性能的 NOR 閃存存儲器,由英飛凌生產。電話咨詢:86-755-83294757
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