商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:ON
年份:25+
封裝:TCPAK57
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
NVMJST1D4N06CLTXG汽車功率MOSFET采用TCPAK57封裝,設計緊湊高效,具有高散熱性能。通過AEC-Q101認證的MOSFET和PPAP適合要求更高電路板級可靠性的汽車應用。
基本參數(shù)
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Id-連續(xù)漏極電流:198 A
Rds On-漏源導通電阻:1.49 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V
Qg-柵極電荷:92.2 nC
最小工作溫度:- 55°C 至 + 175°C
Pd-功率耗散:113 W
封裝:TCPAK57
特征
? 小尺寸 (5x7 mm),設計緊湊
? 低 RDS(on) 可最大限度地降低導通損耗
? 低 QG 和電容,可最大限度地減少驅動器損耗
? TCPAK57 Top Cool 套餐
? 符合 AEC-Q101 標準并支持 PPAP
? 這些器件不含鉛,符合 RoHS 規(guī)范
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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