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IXSH80N120L2KHV是一款1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管，其導通電阻（RDS(on)）為30mΩ，這意味著在導通狀態(tài)下，器件的電阻較小，有助于減少能量損耗。該IXSH80N120L2KHV器件適用于需要高效率、快速開關和低損耗的應用，如車載充電器、電動汽車/混合動力汽車的DC/DC變換器等?。

技術參數

產品：IXSH80N120L2KHV

封裝 / 箱體：TO-247-4L

晶體管極性：N-Channel

通道數量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流：79 A

Rds On-漏源導通電阻：39 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 5 V, + 20 V

Qg-柵極電荷：135 nC

最小工作溫度：- 55 C

最大工作溫度：+ 175 C

Pd-功率耗散：395 W

通道模式：Enhancement

商標：IXYS

配置：Single

下降時間：14 ns

產品類型：SiC MOSFETS

上升時間：24.4 ns

工廠包裝數量：450

晶體管類型：1 N-Channel

類型：SiC MOSFET

典型關閉延遲時間：28.8 ns

典型接通延遲時間：12.8 ns

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