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NTB110N65S3HF是一款由安森美半導體 （ON Semiconductor）生產(chǎn)的 MOSFET ，屬于 SUPERFET III 系列。其利用電荷平衡技術實現(xiàn)出色的低導通電阻，以及更低門極電荷方面的卓越性能。

技術參數(shù)

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：30A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：110 毫歐 @ 15A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 740μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：62 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2635 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：240W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：TO-263（D2PAK）

應用場景

NTB110N65S3HF由于其低導通電阻和低柵極電荷的特性，非常適合用于需要高效率和低損耗的電源系統(tǒng)，如電信服務器電源、工業(yè)電源、電動汽車充電器、UPS和太陽能系統(tǒng) 等。此外，它還適用于需要小尺寸和高效率的電源系統(tǒng)，能夠承受極高的dV/dt速率，并提供卓越的開關性能?。

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