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NTB7D3N15MC是安森美半導體屏蔽柵極PowerTrench? MOSFET是N溝道MOSFET，最大限度地降低導通電阻并保持出色的開關(guān)性能（通過同類最佳的軟體二極管）。與其他MOSFET相比，該MOSFET的Qrr更低。屏蔽柵極PowerTrench MOSFET降低了開關(guān)噪聲/電磁干擾 (EMI)。

特性

屏蔽柵 MOSFET 技術(shù)

在 VGS = 10 V、ID = 62 A 時，最大 RDS(on) = 7.3 m

Qrr 比其他 MOSFET 供應商低 50

降低開關(guān)噪聲/EMI

100% 通過 UIL 測試

這些器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑，符合 RoHS 規(guī)范標準

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3)

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V

Id-連續(xù)漏極電流: 101 A

Rds On-漏源導通電阻: 7.3 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.5 V

Qg-柵極電荷: 53 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 166 W

通道模式: Enhancement

典型應用

ATX / 服務器 / 電信 PSU 的同步整流

電機驅(qū)動器和不間斷電源

微型太陽能逆變器

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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