商品名稱:N 溝道 MOSFET
品牌:ON
年份:25+
封裝:SOP-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:9000 件
NIS5132MN4TXGHW 一款高性能 N 溝道 MOSFET,以其優(yōu)異的性能和可靠性,成為工業(yè)控制、汽車電子、通信設(shè)備等領(lǐng)域的理想選擇。
NIS5132MN4TXGHW 采用先進(jìn)的溝槽柵工藝制造,具有以下突出特點(diǎn):
低導(dǎo)通電阻: NIS5132MN4TXGHW 的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 低至 3.2mΩ,能夠有效降低導(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率。
高開(kāi)關(guān)速度: NIS5132MN4TXGHW 具有極低的柵極電荷 (Qg) 和輸出電荷 (Qoss),能夠?qū)崿F(xiàn)高速開(kāi)關(guān),降低開(kāi)關(guān)損耗。
優(yōu)異的雪崩耐量: NIS5132MN4TXGHW 具有優(yōu)異的雪崩耐量,能夠承受高能量的雪崩擊穿,提高系統(tǒng)可靠性。
符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn): NIS5132MN4TXGHW 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求。
產(chǎn)品規(guī)格
寬輸入電壓范圍:支持 4.5V 至 28V 的輸入電壓
可調(diào)輸出電壓:輸出電壓可通過(guò)外部電阻設(shè)置
高效率:在額定負(fù)載下,效率可達(dá)到 90% 以上
過(guò)流保護(hù):內(nèi)置過(guò)流限制功能,確保電路安全
封裝類型:采用 SOP-8 封裝,適合緊湊型設(shè)計(jì)
工作溫度范圍:-40°C 至 85°C
PWM 調(diào)制支持:支持 PWM 模式,可實(shí)現(xiàn)精確的負(fù)載調(diào)節(jié)
NIS5132MN4TXGHW 應(yīng)用領(lǐng)域廣泛
NIS5132MN4TXGHW 可廣泛應(yīng)用于各種需要高效率、高可靠性的領(lǐng)域,例如:
工業(yè)控制: 電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換、逆變器等。
汽車電子: 電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向、電池管理系統(tǒng)、車載充電器等。
通信設(shè)備: 基站電源、服務(wù)器電源、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等。
消費(fèi)電子: 筆記本電腦適配器、游戲機(jī)電源、液晶電視等。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NTMFS4925NT1G
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LB11988V是一款電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 IC,最適合用于驅(qū)動(dòng)直流風(fēng)扇電機(jī)。NTBGS001N06C
NTBGS001N06C是一款小尺寸、設(shè)計(jì)緊湊的MOSFET,具有低RDS(on) 和低電容。低RDS(on) 值可最大限度降低導(dǎo)通損耗,低電容可最大限度降低驅(qū)動(dòng)器損耗?;緟?shù)晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:60 VId-連續(xù)漏極電流:342 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:…NVMJST1D4N06CLTXG
NVMJST1D4N06CLTXG汽車功率MOSFET采用TCPAK57封裝,設(shè)計(jì)緊湊高效,具有高散熱性能。通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的MOSFET和PPAP適合要求更高電路板級(jí)可靠性的汽車應(yīng)用。基本參數(shù)Vds-漏源極擊穿電壓:60 VId-連續(xù)漏極電流:198 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.49 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:…NVMFWS2D1N08XT1G
NVMFWS2D1N08XT1G是一款單N-通道功率MOSFET,具有80V的漏源電壓和181A的連續(xù)漏極電流,導(dǎo)通電阻為2.1mohm??。該器件采用SO8FL封裝,適用于需要高電流處理的電路設(shè)計(jì)。產(chǎn)品屬性晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:80 VId-連續(xù)漏極電流:181 A…NXH600N100L4F5PG
NXH600N100L4F5PG是一款功率模塊,內(nèi)置一個(gè)I型中性點(diǎn)箝位三電平逆變器。集成的場(chǎng)截止溝槽IGBTs和frd提供更低的傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)崿F(xiàn)高效率和出色的可靠性。特征? 中性點(diǎn)箝位三電平逆變器模塊? 1000 V 場(chǎng)截止器 4 個(gè) IGBT? 低電感布局? 壓接銷? 熱…電話咨詢:86-755-83294757
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